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该有机电极不仅解决了锌枝晶的生长问题，线控而且也避免了溶解问题的发生，提高ZIB的稳定性。此外，制和密度泛函理论也解释了PTCDI放电电压低的原因。

图4密度泛函理论计算LUMO能级图5PTCDI/rGO的充放电机理（a）在100mAg-1下，传感PTCDI/rGO电池的充/放电曲线。但是，器网有机电极也受到了溶解，导电性差等问题的困扰。但是，络解以金属锌为负极的电池体系会受到锌枝晶的影响，导致电池循环稳定性差。

本文中，决方利用密度泛函理论计算了一系列常见的共轭羰基化合物的LUMO能级，揭示了PTCDI在锌离子电池中作为有机负极的潜力。发无图3PTCDI和PTCDI/rGO半电池的倍率和循环性能（a）PTCDI/rGO的倍率性能。

（b）在100mAg-1下，线控PB//Zn全电池的充/放电曲线。

【图文导读】图1PTCDI/rGO复合材料的合成示意图图2PTCDI/rGO的结构表征（a，制和b）PTCDI/rGO的SEM和TEM图像。据韩媒etnews今日报道，传感三星和LG已被证实正在开发基于高通芯片的XR设备。

同时，器网司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，器网将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。此外，络解LG还表示当前正在开发智能眼镜。

▲图为高通第二代骁龙XR2平台预计三星和LG将基于第三代芯片制造XR终端，决方以应对Meta的Quest和苹果的VisionPro等产品。注：发无三星、发无高通和谷歌曾于今年2月宣布结成XR联盟，LG总裁赵柱完（音译）也在今年7月举行的中长期业务战略新闻发布会上谈到XR时表示，当时正与几家公司接触并研究商业化的可能性。